Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

3N163 TO-72 4L

P-CHANNEL, SINGLE ENHANCEMENT MO

Üretici
Paket/Kılıf
TO-206AF
Seri / Aile Numarası
3N163

3N163 TO-72 4L Hakkında

3N163, P-Channel Enhancement Mode MOSFET transistördür. TO-72 metal kutulu paket içinde sunulan bu bileşen, 40V drain-source gerilimi ve 50mA sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 250Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük düzeyde sinyal işleme ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 375mW güç tüketim limiti ile pil çalışan cihazlar ve düşük güç tüketimli analog devrelerde tercih edilir. Vgs eşik gerilimi 5V (@10µA) olup, -6.5V maksimum gate-source gerilimi ile çalışır. 3.5pF input kapasitansi ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirir. Eski tasarımlar ve retro elektronik projelerinde kullanılan klasik MOSFET komponenttir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 50mA
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 20V
FET Type P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3.5 pF @ 15 V
Mounting Type Through Hole
Package / Case TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 375mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 250Ohm @ 100µA, 20V
Supplier Device Package TO-72-4
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) -6.5V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 10µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok