Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
3N163 SOT-143 4L
P-CHANNEL, SINGLE ENHANCEMENT MO
- Üretici
- —
- Paket/Kılıf
- TO-253-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- 3N163
3N163 SOT-143 4L Hakkında
3N163, P-channel enhancement mode MOSFET transistörüdür ve SOT-143 yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 40V drain-source gerilimi (Vdss) ve 50mA sürekli drain akımı (Id) özellikleriyle hassas sinyal anahtarlama ve düşük güç uygulamalarında kullanılır. 250Ohm maksimum on-state direnci (Rds On @ 20V) ile verimli güç yönetimi sağlar. 350mW güç dağılımı kapasitesi, 3.5pF input kapasitansi ve -6.5V maksimum gate-source gerilimi (Vgs) ile analog ve dijital devre tasarımlarında, özellikle batarya yönetimi, güç anahtarlama ve sinyal kontrol devreleri için uygun bir seçenektir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50mA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| FET Type | P-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3.5 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-253-4, TO-253AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 350mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250Ohm @ 100µA, 20V |
| Supplier Device Package | SOT-143-4 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | -6.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 10µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok