Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
3N163 DIE
P-CHANNEL, SINGLE ENHANCEMENT MO
- Üretici
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- 3N163
3N163 DIE Hakkında
3N163 DIE, Linear Integrated Systems tarafından üretilen P-Channel Enhancement Mode MOSFET transistördür. Die (çip) formunda sunulan bu bileşen, 40V drain-source voltaj kapasitesi ve 50mA sürekli drain akımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 250Ohm maksimum Rds(on) değeri ile açık durumda düşük geçiş direnci sağlar. 3500pF giriş kapasitansı ve -6.5V maksimum gate-source voltajı ile hızlı anahtarlama işlemlerine uygun tasarlanmıştır. Transistör, ayrık devre tasarımlarında, anahtarlama devrelerinde ve küçük sinyal kontrolü gerektiren uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50mA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| FET Type | P-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3500 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250Ohm @ 100µA, 20V |
| Supplier Device Package | Die |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | -6.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 10µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok