Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
3LP01C-TB-E
MOSFET P-CH 30V 100MA 3CP
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- 3LP01C
3LP01C-TB-E Hakkında
3LP01C-TB-E, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltaj ve 100mA sürekli drenaj akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 250mW maksimum güç tüketimi, 10.4Ω maksimum Rds(on) değeri ve 1.43nC gate charge özelliği ile anahtarlama hızlığı iyi bir bileşendir. TO-236-3 (SOT-23-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu MOSFET, giriş kapasitansı 7.5pF ve maksimum ±10V gate-source voltajı ile hassas devre uygulamalarında yer alabilir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığında, genel amaçlı anahtarlama ve lojik seviye uygulamalarında tercih edilir. Ancak bileşen üretim durdurulmuş (obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.43 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7.5 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 250mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.4Ohm @ 50mA, 4V |
| Supplier Device Package | SC-59-3/CP3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±10V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok