Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

3LN01C-TB-H

MOSFET N-CH 30V 150MA 3CP

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
3LN01C

3LN01C-TB-H Hakkında

3LN01C-TB-H, onsemi tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltajına ve 150mA sürekli drain akımına sahip bu bileşen, düşük güç uygulamalarında anahtar görevi görmektedir. SOT-23-3 (SC-59) paketinde sunulan transistör, maksimum 250mW güç tüketimi ile sınırlı. 4V gate voltajında 3.7Ω on-resistance değerine sahiptir. Geniş sıcaklık aralığında (150°C'ye kadar) çalışabilmesi sayesinde, anahtarlama devrelerinde, senkron doğrultucu uygulamalarında ve düşük güçlü logic kontrol devrelerinde kullanılabilir. Düşük gate charge (1.58nC @ 10V) ve input capacitance (7pF @ 10V) değerleri hızlı switching işlemleri için uygundur. Ürün durumu itibariyle obsolete olmasından dolayı yeni tasarımlarda alternatif bileşen seçimi önerilmektedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 150mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 250mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.7Ohm @ 80mA, 4V
Supplier Device Package SC-59-3/CP3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±10V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok