Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
3LN01C-TB-E
MOSFET N-CH 30V 150MA 3CP
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- 3LN01C
3LN01C-TB-E Hakkında
3LN01C-TB-E, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 150mA sürekli akım kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında anahtarlama ve sinyal kontrol görevlerinde kullanılır. 4V gate geriliminde 3.7Ω kapalı durum direnci, minimal kapı yükü (1.58nC) ve 250mW güç dağıtımı kapasitesi ile kompakt devre tasarımlarına uygun bir komponenttir. TO-236-3 (SOT-23-3) yüzey montajlı paket formatında sunulan bu transistör, endüstriyel kontrol devreleri, haber kaynakları, LED sürücüleri ve batarya yönetim sistemlerinde yaygın olarak uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 150mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.58 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 250mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.7Ohm @ 80mA, 4V |
| Supplier Device Package | SC-59-3/CP3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±10V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok