Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

2SK4210

MOSFET N-CH 900V 10A TO3PB

Paket/Kılıf
TO-3P-3
Seri / Aile Numarası
2SK4210

2SK4210 Hakkında

2SK4210, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 900V drain-source voltaj, 10A sürekli drenaj akımı ve 1.3Ω maksimum RDS(on) değerleri ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-3P paketlemesinde sunulan bu transistör, 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilir. Gate charge 75nC ve input kapasitans 1500pF ile hızlı anahtarlama uygulamalarında, industrial kontrol devrelerinde, güç kaynakları ve konvertörlerde tercih edilir. ±30V maksimum gate-source voltajı ile geniş kontrol voltaj aralığını destekler. Bileşen obsolete durumda olup, stok ve alternatiflerin kontrolü önerilmektedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 900 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1500 pF @ 30 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 190W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.3Ohm @ 5A, 10V
Supplier Device Package TO-3PB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok