Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

2SK4209

MOSFET N-CH 800V 12A TO3PB

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-3P-3
Seri / Aile Numarası
2SK4209

2SK4209 Hakkında

2SK4209, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 800V drain-source voltajı ve 12A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-3P paketinde sunulan bu transistör, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, anahtarlama uygulamaları ve endüstriyel güç elektronikleri tasarımlarında tercih edilir. 1.08Ω maksimum RDS(on) değeri ile verimli çalışma sağlar. Maksimum 150°C çalışma sıcaklığına ve 190W (Tc) güç saçma kapasitesine sahiptir. Gate threshold voltajı 4V olup ±30V maksimum gate voltajı uygulanabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1500 pF @ 30 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 190W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.08Ohm @ 6A, 10V
Supplier Device Package TO-3PB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok