Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

2SK4171

N-CHANNEL SILICON MOSFET

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
2SK4171

2SK4171 Hakkında

2SK4171, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel silicon MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilim (Vdss) ve 100A sürekli dren akımı (Id) ile güç uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, motorlar, anahtarlama devreleri, güç yönetimi sistemleri ve indüktif yüklerin kontrolünde yer alır. 7.2mOhm maksimum on-direnç (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. 150°C maksimum çalışma sıcaklığına kadar dayanıklı olup, ±20V gate gerilim aralığında çalışır. Düşük gate charge (135nC) sayesinde hızlı anahtarlama performansı sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6900 pF @ 20 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1.75W (Ta), 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.2mOhm @ 50A, 10V
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok