Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
2SK4125-1E
MOSFET N-CH 600V 17A TO3P-3L
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- 2SK4125
2SK4125-1E Hakkında
2SK4125-1E, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 17A sürekli drenaj akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-3P-3 paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate sürüş gerilimiyle 610mΩ on-state direncine sahiptir. 46nC gate yükü ve 1200pF input kapasitansiyle hızlı anahtarlama özellikleri sunar. 170W soğutucu sıcaklığında güç dağıtımı kapasitesi ile endüstriyel denetim, enerji yönetimi ve güç dönüştürme uygulamalarında kullanılır. Maksimum ±30V gate gerilimi ile çalışmakta olup, 150°C sıcaklığa kadar işletilmesi mümkündür. Bileşen şu anda üretim dışı (Obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 17A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 46 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1200 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 170W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 610mOhm @ 7A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3P-3L |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok