Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

2SK4099LS-1E

MOSFET N-CH 600V 6.9A TO220F-3FS

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
2SK4099LS

2SK4099LS-1E Hakkında

2SK4099LS-1E, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V Drain-Source voltaj kapasitesi ve 6.9A sürekli drenaj akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılmaya uygun bir yarı iletken elementidir. TO-220-3 paketleme ile montajı kolay olan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç yönetimi sistemleri, invertör tasarımları ve motor kontrol uygulamalarında tercih edilir. 940mΩ maksimum Rds(on) değeri ile iletim kaybını sınırlandırırken, ±30V Gate-Source voltaj aralığı tasarım esnekliği sağlar. Maksimum 35W güç dağılım kapasitesi ve 150°C çalışma sıcaklığı, endüstriyel ortamlarda güvenilir performans sunmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.9A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 750 pF @ 30 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2W (Ta), 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 940mOhm @ 4A, 10V
Supplier Device Package TO-220F-3FS
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok