Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

2SK4066-1E

MOSFET N-CH 60V 100A TO262-3

Paket/Kılıf
TO-262-3 Long Leads
Seri / Aile Numarası
2SK4066

2SK4066-1E Hakkında

2SK4066-1E, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) bileşenidir. 60V drain-source voltajında 100A sürekli akım kapasitesine sahip bu transistör, güç anahtarlama ve doğrultma uygulamalarında kullanılır. TO-262-3 (I²Pak) paketine sahip olan bileşen, 4.7mOhm on-state direnci ile yüksek akım uygulamalarına uygun tasarlanmıştır. ±20V maksimum gate voltajında çalışabilen transistör, motor kontrolü, DC-DC konvertörleri, enerji dönüşüm sistemleri ve endüstriyel güç elektronikleri alanlarında tercih edilmektedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 12500 pF @ 20 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.65W (Ta), 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.7mOhm @ 50A, 10V
Supplier Device Package TO-262-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok