Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

2SK4065-DL-1E

N-CHANNEL POWER MOSFET, 75V, 100

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
2SK4065

2SK4065-DL-1E Hakkında

2SK4065-DL-1E, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 75V drain-source voltajı ve 100A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. 6mΩ on-resistance (Rds On) değeri ile enerji kaybını minimize eder. TO-263-3 D²Pak paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama devrelerinde, motor kontrol uygulamalarında, güç kaynağı tasarımlarında ve enerji dönüştürme sistemlerinde tercih edilir. Maksimum 150°C junction sıcaklığında çalışabilen bileşen, 90W güç dağılımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarına uygun hale getirilmiştir. ±20V gate gerilim aralığı ve 220nC gate charge değeri hızlı anahtarlama performansı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 75 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 12200 pF @ 20 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1.65W (Ta), 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOhm @ 50A, 10V
Supplier Device Package TO-263-2
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok