Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

2SK3906(Q)

MOSFET N-CH 600V 20A TO3P

Paket/Kılıf
TO-3P-3
Seri / Aile Numarası
2SK3906

2SK3906(Q) Hakkında

2SK3906(Q), Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source voltajı ve 20A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle güç uygulamalarında kullanılan bir yariiletken bileşenidir. TO-3P paketinde sağlanan bu transistör, anahtarlama devrelerinde, güç kaynakları, motor kontrol sistemleri ve endüstriyel güç dönüştürme uygulamalarında tercih edilir. 150W maksimum güç yayılımı ve 330mΩ (10A, 10V'de) RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama performansı sunar. ±30V maksimum gate-source voltajı ve 4V eşik voltajı kontrol devrelerinin tasarlanması açısından esneklik sağlar. Yaşlı bir bileşen olması nedeniyle stok durumu sınırlıdır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4250 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 330mOhm @ 10A, 10V
Supplier Device Package TO-3P(N)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok