Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
2SK3868(Q,M)
MOSFET N-CH 500V 5A TO220SIS
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- 2SK3868
2SK3868(Q,M) Hakkında
2SK3868(Q,M), Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 500V drain-source gerilimi ve 5A sürekli drain akımı ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-220-3 paket formatında sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, DC-DC konvertörleri, motor kontrol uygulamaları ve güç yönetim sistemlerinde tercih edilir. 1.7Ω maksimum kaynağa geçiş direnci (Rds On) ile verimli işletme sağlar. ±30V gate gerilimi aralığında çalışabilen transistör, 35W maksimum güç disipasyonuna sahiptir. 16nC gate yükü ve 550pF giriş kapasitanesi ile hızlı anahtarlama özellikleri sunmaktadır. İleri sürücü devrelerinin kontrolü altında yüksek frekanslı uygulamalarda kullanılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 550 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 35W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.7Ohm @ 2.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220SIS |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok