Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
2SK3811-ZP-E1-AY
MOSFET N-CH 40V 110A TO263
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- 2SK3811
2SK3811-ZP-E1-AY Hakkında
2SK3811-ZP-E1-AY, Renesas Electronics tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. TO-263 (D²Pak) paket tipi ile sunulan bu bileşen, 40V drain-source gerilimi ve 110A sürekli dren akımı kapasitesiyle güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 1.8mOhm on-state direnci (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. 260nC gate charge değeri hızlı anahtarlama özelliği sunar. Maksimum 150°C çalışma sıcaklığında çalışabilen bu MOSFET, motor kontrolü, güç kaynakları, inverterler ve endüstriyel anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. Yüksek akım taşıma kapasitesi ile termal yönetim açısından etkindir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 110A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 260 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 17700 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.5W (Ta), 213W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8mOhm @ 55A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-263 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok