Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

2SK3635-Z-E1-AZ

MOSFET N-CH 200V 8A TO252

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
2SK3635

2SK3635-Z-E1-AZ Hakkında

2SK3635-Z-E1-AZ, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilimi (Vdss) ve 8A sürekli dren akımı (Id) kapasitesine sahip bu bileşen, TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 430mΩ maksimum on-state direnci (Rds(on)) ile düşük güç kaybı sağlar. 12nC gate charge ve 390pF input capacitance değerleriyle hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. Anahtarlama güç kaynakları, motor kontrol devreleri, LED sürücüleri ve endüstriyel kontrol sistemlerinde kullanılır. 4.5V gate threshold voltajı (Vgs(th)) ile TTL/CMOS lojik seviyeleriyle uyumlu çalışır. Bileşen artık üretilmemektedir (obsolete).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 390 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs 430mOhm @ 4A, 10V
Supplier Device Package TO-252 (MP-3Z)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok