Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
2SK3565(Q,M)
MOSFET N-CH 900V 5A TO220SIS
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- 2SK3565
2SK3565(Q,M) Hakkında
2SK3565(Q,M), Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 900V drain-source gerilimi ve 5A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek gerilim uygulamalarında anahtar görevi üstlenir. 2.5Ω maksimum RDS(on) değeri ile verimli iletim özellikleri sağlar. 28nC gate charge ile hızlı anahtarlama karakteristiği gösterir. Maksimum 45W güç yayabilme kapasitesi bulunmaktadır. Endüstriyel güç kaynakları, motor kontrol devreleri, adaptörler ve yüksek gerilim dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır. ±30V maksimum gate-source gerilimi ile geniş uygulama alanına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1150 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 45W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5Ohm @ 3A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220SIS |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok