Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

2SK3564(STA4,Q,M)

MOSFET N-CH 900V 3A TO220SIS

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
2SK3564

2SK3564(STA4,Q,M) Hakkında

2SK3564(STA4,Q,M), Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 900V drain-source voltaj derecelendirmesi ve 3A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 4.3Ω (10V, 1.5A) maksimum Rds(on) değeri ile verimli anahtarlama özelliği sağlar. ±30V gate-source voltaj aralığı ve 17nC maksimum gate yükü ile kontrolü kolaydır. 150°C çalışma sıcaklığı ve 40W güç dağıtım kapasitesi sayesinde, endüstriyel uygulamalar, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve motor sürücüleri gibi alanlarda başarıyla uygulanabilir. Through-hole montaj tipi ile PCB'ye doğrudan entegrasyonu sağlanır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 900 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 700 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.3Ohm @ 1.5A, 10V
Supplier Device Package TO-220SIS
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok