Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
2SK3479-Z-E1-AZ
MOSFET N-CH 100V 83A TO-263
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- 2SK3479
2SK3479-Z-E1-AZ Hakkında
2SK3479-Z-E1-AZ, Renesas Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilimi ve 83A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, 11mOhm RDS(on) değeri ile düşük kayıp ve verimli anahtarlama sağlar. 210nC gate charge ve 11000pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama karakteristiği gösterir. 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilen bu transistör, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, şarj cihazları ve DC-DC dönüştürücüler gibi endüstriyel uygulamalarda yaygın olarak kullanılır. Surface mount montaj türüyle modern PCB tasarımlarına uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 83A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 210 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 11000 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power Dissipation (Max) | 1.5W (Ta), 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 42A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-263, TO-220SMD |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok