Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
2SK3309(TE24L,Q)
MOSFET N-CH 450V 10A TO220SM
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- 2SK3309
2SK3309(TE24L,Q) Hakkında
2SK3309(TE24L,Q), Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 450V drain-source gerilimi ve 10A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, güç denetim devreleri, anahtarlama uygulamaları ve AC/DC güç dönüştürücülerinde kullanılır. 650mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli çalışma sağlar. 65W güç yayılımı kapasitesi ve ±30V maksimum gate gerilimi ile endüstriyel ve tüketici ürünlerinde yer alan enerji yönetim sistemlerinde uygulanır. Maksimum çalışma sıcaklığı 150°C'dir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 450 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 920 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 65W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 650mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220SM |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok