Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

2SK3309(Q)

MOSFET N-CH 450V 10A TO220FL

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
2SK3309

2SK3309(Q) Hakkında

2SK3309(Q), Toshiba tarafından üretilen 450V 10A N-Channel MOSFET transistördür. TO-220FL paket tipinde sunulan bu transistör, yüksek voltaj uygulamalarında anahtar elemanı olarak çalışır. 650mΩ (10V, 5A koşullarında) On-Direnç (Rds) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. 150°C'ye kadar çalışma sıcaklığında, maksimum 65W güç dağıtabilir. Gate eşik gerilimi 5V'dir. Endüstriyel güç kaynakları, invertörler, motor kontrol devreleri ve anahtarlamalı güç uygulamalarında kullanılır. ±30V Gate gerilimi kapsamına sahiptir. Mevcut statüsü discontinued olmasına rağmen, benzer uygulamalar için referans tasarım ve arşiv projelerde yer alabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 450 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 920 pF @ 10 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3, Short Tab
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 650mOhm @ 5A, 10V
Supplier Device Package TO-220FL
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok