Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

2SK2887TL

MOSFET N-CH 200V 3A CPT3

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
2SK2887

2SK2887TL Hakkında

2SK2887TL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 200V drain-source gerilim ve 3A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. 10V gate sürüş geriliminde 900mΩ maksimum RDS(on) değerine sahiptir. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 150°C maksimum işletme sıcaklığında 20W güç tüketebilir. Switch-mode güç kaynakları, DC-DC konvertörleri, motor sürücüleri ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. Gate eşik gerilimi 4V @ 1mA, giriş kapasitansi 230pF @ 10V'tur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 230 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 20W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 900mOhm @ 1.5A, 10V
Supplier Device Package CPT3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok