Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

2SK2866(F)

MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
2SK2866

2SK2866(F) Hakkında

2SK2866(F), Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 10A sürekli drenaj akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devrelerinde, güç kaynakları, motor kontrol sistemleri ve enerji dönüştürücülerinde yer alır. Maksimum 750mΩ RDS(on) direnci ve 125W güç disipasyon kapasitesi ile DC-DC konvertörleri, UPS sistemleri ve endüstriyel kontrol uygulamalarına uygundur. ±30V maksimum gate-source gerilimi ve 4V threshold voltajı ile geniş kontrol aralığı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2040 pF @ 10 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 750mOhm @ 5A, 10V
Supplier Device Package TO-220AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok