Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

2SK2729-E

MOSFET N-CH 500V 20A TO3P

Paket/Kılıf
TO-3P-3
Seri / Aile Numarası
2SK2729

2SK2729-E Hakkında

2SK2729-E, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 500V drain-source geriliminde 20A sürekli akım kapasitesine sahiptir. TO-3P kapsülde sunulan bu bileşen, yüksek gerilim güç uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon görevleri için tasarlanmıştır. 150°C maksimum çalışma sıcaklığı ve 150W güç dağıtım kapasitesi ile endüstriyel kontrol devreleri, güç kaynakları, motor kontrol sistemleri ve çevirici uygulamalarında kullanıma uygundur. 290mOhm maksimum Rds(on) değeri ile verimli anahtarlama performansı sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3300 pF @ 10 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 150W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 290mOhm @ 10A, 10V
Supplier Device Package TO-3P
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok