Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
2SK2719(F)
MOSFET N-CH 900V 3A TO3P
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- 2SK2719
2SK2719(F) Hakkında
2SK2719(F), Toshiba tarafından üretilen 900V N-Channel MOSFET transistördür. TO-3P-3 paketinde sunulan bu komponent, sürekli drain akımı olarak 3A kapasitesine sahiptir. 125W güç yayılımı (Tc) ile tasarlanan cihaz, yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon işlevlerinde kullanılır. Vdss 900V, Rds(on) maksimum 4.3Ω @ 1.5A/10V ve kapı yükü 25nC @ 10V değerleriyle güç kaynakları, motor kontrol devreleri, invertörler ve yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında yer alır. ±30V gate voltaj aralığında çalışan komponent, -150°C ile +150°C sıcaklık aralığında kullanılabilir. Şu anda üretim dışıdır (obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 750 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.3Ohm @ 1.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3P(N) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok