Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
2SK2009TE85LF
MOSFET N-CH 30V 200MA SC59-3
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- 2SK2009
2SK2009TE85LF Hakkında
2SK2009TE85LF, Toshiba tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilim ve 200mA sürekli drain akımına sahip bu bileşen, düşük güç uygulamalarında anahtar görevini yerine getirir. SC-59-3 (SOT-23-3) paketindeki transistör, 2Ω maksimum RDS(on) değeriyle 2.5V gate geriliminde çalışır. 200mW maksimum güç tüketimi ve 150°C çalışma sıcaklığı ile entegre devreler, ses amplifikatörleri, güç yönetimi devreleri ve sinyal anahtarlama uygulamalarında kullanılır. ±20V maksimum gate-source gerilimi ve 1.5V eşik gerilimi, hassas kontrol ve güvenilir işletme sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 200mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 70 pF @ 3 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 200mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2Ohm @ 50MA, 2.5V |
| Supplier Device Package | SC-59-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 100µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok