Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

2SK1859-E

MOSFET N-CH 900V 6A TO3P

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
2SK1859

2SK1859-E Hakkında

2SK1859-E, Renesas Electronics tarafından üretilen yüksek voltaj N-channel MOSFET transistördür. 900V drain-source voltaj derecesi ve 6A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, 60W maksimum güç dağılımı özelliğine sahiptir. 10V gate-source voltajında 3Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Endüstriyel anahtarlama devreleri, motor kontrol uygulamaları ve güç kaynağı tasarımlarında tercih edilir. ±30V maksimum gate-source voltaj aralığı geniş uygulama yelpazesi sunmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 900 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 980 pF @ 10 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3Ohm @ 3A, 10V
Supplier Device Package TO-3P
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok