Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

2SK1775-E

MOSFET N-CH 900V 8A TO3P

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
2SK1775

2SK1775-E Hakkında

2SK1775-E, Renesas Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 900V drain-source gerilimi ve 8A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç elektronikleri, anahtarlama devreleri, motor kontrol sistemleri ve endüstriyel güç yönetimi uygulamalarında tercih edilir. 1.6Ω maksimum RDS(on) değeri ile verimli çalışma sağlar. ±30V gate-source gerilimi aralığında çalışabilir ve 150°C'ye kadar sıcaklığa dayanır. 60W maksimum güç tüketimi ile entegre tasarımlara uygun bir komponenttir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 900 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1730 pF @ 10 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6Ohm @ 4A, 10V
Supplier Device Package TO-3P
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok