Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

2SK1339-E

MOSFET N-CH 900V 3A TO3P

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
2SK1339

2SK1339-E Hakkında

2SK1339-E, Renesas Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 900V drenaj-kaynak gerilimi ve 3A sürekli drenaj akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmaya uygundur. TO-220-3 paket tipinde sunulan bu transistör, 10V gate sürücü geriliminde 7Ω maksimum RDS(on) değerine sahiptir. ±30V maksimum gate-kaynak gerilimi ve 80W güç dağılımı kapasitesi ile endüstriyel güç dönüştürücüler, anahtarlama devreleri, motor sürücüleri ve yüksek voltaj uygulamalarında tercih edilir. 150°C çalışma sıcaklığında güvenilir performans sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 900 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 425 pF @ 10 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 80W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7Ohm @ 1.5A, 10V
Supplier Device Package TO-3P
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok