Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

2SK1317-E

MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO3P

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
2SK1317

2SK1317-E Hakkında

2SK1317-E, Renesas Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 1500V drain-source gerilimi (Vdss) ve 2.5A sürekli drain akımı kapasitesiyle yüksek gerilim uygulamaları için tasarlanmıştır. 15V gate sürüş voltajında 12Ω maksimum on-resistance değerine sahiptir. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, 150°C'ye kadar çalışma sıcaklığında 100W güç dissipasyonu gerçekleştirebilir. Endüstriyel güç dönüştürücüler, anahtarlama devreleri, yüksek gerilim uygulamaları ve enerji yönetim sistemlerinde kullanılır. ±20V maksimum gate-source gerilimi ile geniş uygulanabilirlik sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 15V
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 990 pF @ 10 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12Ohm @ 2A, 15V
Supplier Device Package TO-3P
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok