Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
2SK1119(F)
MOSFET N-CH 1000V 4A TO220AB
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- 2SK1119
2SK1119(F) Hakkında
2SK1119(F), Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 1000V drain-source gerilimi ve 4A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-220AB paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devrelerinde, güç kaynakları, invertörler ve motor kontrol uygulamalarında tercih edilir. 3.8Ω maksimum RDS(on) değeri ile verimli çalışma sağlar. 60nC gate charge ve 700pF input kapasitans değerleri kontrol devresi tasarımında dikkate alınmalıdır. Maksimum 150°C jonksiyon sıcaklığında çalışabilir. Cihaz obsolete durumdadır; yeni tasarımlarda alternatif seçeneklerin değerlendirilmesi önerilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 700 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 100W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.8Ohm @ 2A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok