Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

2SJ681(Q)

MOSFET P-CH 60V 5A PW-MOLD2

Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
2SJ681

2SJ681(Q) Hakkında

2SJ681(Q), Toshiba tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 5A sürekli drain akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. TO-251-3 (IPak) paketlemesinde sunulan bu bileşen, 170mOhm maksimum on-resistance değeriyle anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 20W güç dağıtım kapasitesi ve ±20V gate gerilim sınırı ile güç yönetimi, motor kontrol ve anahtarlama devrelerinde uygulanır. 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilen bu transistör, 15nC gate charge ve 700pF input capacitance özellikleriyle hızlı komütasyon gerektiren sistemlerde tercih edilir. Bileşen günümüzde üretimi durdurulmuştur (obsolete).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 700 pF @ 10 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Stub Leads, IPak
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 20W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 170mOhm @ 2.5A, 10V
Supplier Device Package PW-MOLD2
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok