Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

2SJ665-DL-E

MOSFET P-CH 100V 27A SMP-FD

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
2SJ665

2SJ665-DL-E Hakkında

2SJ665-DL-E, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 100V drenaj-kaynak gerilimi (Vdss) ile 27A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montajlı paket ile sağlanan bu FET, maksimum 77mOhm on-direnci değerine sahiptir. 4V-10V drive voltage aralığında çalışabilir ve 150°C'ye kadar işletme sıcaklığında kullanılabilir. Gate charge 74nC@10V olup, input kapasitansi 4200pF@20V'dir. Açık kanal direnci düşük olması nedeniyle anahtarlama uygulamalarında, güç yönetim devrelerinde ve motor kontrol sistemlerinde kullanılır. Maksimum 65W güç dağılımı kapasitesine (Tc'de) sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 27A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4200 pF @ 20 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.65W (Ta), 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 77mOhm @ 14A, 10V
Supplier Device Package SMP-FD
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.6V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok