Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
2SJ665-DL-1EX
MOSFET P-CH 100V 27A TO263-2
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- 2SJ665
2SJ665-DL-1EX Hakkında
2SJ665-DL-1EX, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 100V Drain-Source gerilimi (Vdss) ve 27A sürekli drain akımı (Id) kapasitesine sahiptir. TO-263-2 (D²Pak) yüzey montajı paketinde sunulan bu bileşen, güç elektronikleri uygulamalarında anahtarlama ve güç denetimi görevlerinde kullanılır. 77mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. 10V ve 4V gate sürüş gerilimlerinde optimize edilmiş davranış gösterir. 150°C'ye kadar çalışma sıcaklığına ve 65W güç dağılımına sahiptir. Güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılmaya uygundur. Bileşen kullanım dışı (Obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 27A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 74 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4200 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TA) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 65W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 77mOhm @ 14A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-263-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok