Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

2SJ661-DL-E

MOSFET P-CH 60V 38A SMP-FD

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
2SJ661

2SJ661-DL-E Hakkında

2SJ661-DL-E, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 60V Drain-Source gerilimi ve 38A sürekli Drain akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, 39mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp hızlı anahtarlamalar sağlar. 10V Gate geriliminde 80nC Gate yüküne sahip olup, 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilir. Motor kontrol devreleri, anahtarlama güç kaynakları, invertör uygulamaları ve batarya yönetim sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir. Komponentin Part Status Obsolete olarak işaretlenmiştir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 38A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4360 pF @ 20 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.65W (Ta), 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 39mOhm @ 19A, 10V
Supplier Device Package SMP-FD
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.6V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok