Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
2SJ661-DL-1E
MOSFET P-CH 60V 38A TO263-2
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- 2SJ661
2SJ661-DL-1E Hakkında
2SJ661-DL-1E, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltaj ve 38A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-263-2 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulur. 39mΩ on-resistance ile düşük kayıp işlemesi sağlar. 4V ve 10V gate sürücü voltajlarında çalışabilir. Gate yükü maksimum 80nC'dir. 150°C maksimum junction sıcaklığında ve 65W (Tc'de) güç dağıtma kapasitesi ile çalışır. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, DC-DC konvertörleri ve motor kontrol sistemlerinde tercih edilir. ±20V maksimum gate-source voltajı ile geniş uygulama alanına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 38A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 80 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4360 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.65W (Ta), 65W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 39mOhm @ 19A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-263-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok