Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
2SJ656
MOSFET P-CH 100V 18A TO220ML
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- 2SJ656
2SJ656 Hakkında
2SJ656, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source voltaj ve 18A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç kaynakları, motorla sürücüler ve güç dağıtım sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir. 75.5mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli işletme sağlar. 150°C maksimum işletme sıcaklığında çalışabilir. Gate charge 74nC ve giriş kapasitansi 4200pF'dir. ±20V maksimum gate-source voltajı ile uyumlu sürücü devrelerine ihtiyaç duyar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 74 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4200 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta), 30W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75.5mOhm @ 9A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220ML |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok