Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
2SJ652-1E
MOSFET P-CH 60V 28A TO220F-3SG
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- 2SJ652
2SJ652-1E Hakkında
2SJ652-1E, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilimi ve 28A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama ve güç amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 38mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Gate charge 80nC olup, 4360pF input kapasitansına sahiptir. ±20V gate gerilimi aralığında çalışan transistör, 150°C işletme sıcaklığına kadar dayanıklıdır. Güç yönetimi, motor kontrol ve anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 28A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 80 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4360 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta), 30W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 38mOhm @ 14A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220F-3SG |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok