Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
2SJ649-AZ
MOSFET P-CH 60V 20A TO220
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Isolated Tab
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- 2SJ649
2SJ649-AZ Hakkında
2SJ649-AZ, Renesas Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi (Vdss) ile 20A sürekli drenaj akımına sahiptir. TO-220-3 izole tab paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. Maksimum 48mOhm (10A, 10V koşullarında) on-resistance değeri ile düşük ısıl kaybı sağlar. 25°C sıcaklıkta 2W, 150°C'de 25W güç dağıtabilir. ±20V maksimum gate-source gerilimi ve 38nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama operasyonlarına uygundur. DC-DC konvertörler, güç amplifikatörleri, motor kontrol ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1900 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Isolated Tab |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta), 25W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 48mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 Isolated Tab |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok