Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
2SJ610(TE16L1,NQ)
MOSFET P-CH 250V 2A PW-MOLD
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- 2SJ610
2SJ610(TE16L1,NQ) Hakkında
2SJ610(TE16L1,NQ), Toshiba tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 250V drain-source gerilim ve 2A sürekli drain akımı kapasitesiyle, güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, 10V sürüş geriliminde 2.55Ω maksimum RDS(on) değerine sahiptir. 20W güç dağıtım kapasitesi ve düşük gate şarjı (24nC @ 10V) ile inverter devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. Maksimum çalışma sıcaklığı 150°C'dir. Bileşen güncel üretimde olmayıp, stok ürün olarak bulunabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 381 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 20W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.55Ohm @ 1A, 10V |
| Supplier Device Package | PW-MOLD |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok