Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
2SJ601-ZK-E1-AZ
MP-3ZK
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- 2SJ601
2SJ601-ZK-E1-AZ Hakkında
2SJ601-ZK-E1-AZ, Renesas Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 36A sürekli drain akımı kapasitesiyle güç uygulamalarında kullanılır. 31mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç yönetimi, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında yer bulur. -20V ile +20V arasında gate gerilimi toleransı ve 150°C maksimum çalışma sıcaklığı özelliğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 36A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 63 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3300 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Ta), 65W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 31mOhm @ 18A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252 (MP-3ZK) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok