Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

2SJ542-E

MOSFET N-CH 60V 18A TO220AB

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
2SJ542

2SJ542-E Hakkında

2SJ542-E, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V Drain-Source gerilim kapasitesi ve 18A sürekli drain akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu FET, 65mΩ maksimum RDS(on) değeri ile anahtarlama devrelerinde, DC-DC konvertörlerde, motor sürücü uygulamalarında ve güç yönetimi sistemlerinde tercih edilir. ±20V gate gerilim aralığında çalışabilen ve 150°C'ye kadar işletme sıcaklığına dayanıklı bu transistör, endüstriyel ve tüketici elektroniği tasarımlarında yaygın olarak kullanılan bir komponenttir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 18A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1300 pF @ 10 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65mOhm @ 9A, 10V
Supplier Device Package TO-220AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok