Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

2SJ377(TE16R1,NQ)

MOSFET P-CH 60V 5A PW-MOLD

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
2SJ377

2SJ377(TE16R1,NQ) Hakkında

2SJ377(TE16R1,NQ), Toshiba tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltaj ve 5A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 190mOhm RDS(on) değerine sahiptir. 20W güç yayılım kapasitesi ile anahtarlama uygulamalarında, güç yönetimi devrelerinde ve invertör tasarımlarında kullanılır. Maksimum 150°C çalışma sıcaklığında güvenilir performans sağlar. 22nC gate charge ve 630pF input capacitance değerleriyle hızlı anahtarlama karakteristiği gösterir. Ürün durumu itibariyle eski tasarımlar için kullanılmakta olup, yeni uygulamalarda yerine geçen versiyonlar mevcuttur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 630 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 20W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190mOhm @ 2.5A, 10V
Supplier Device Package PW-MOLD
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok