Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

2SJ162-E

MOSFET P-CH 160V 7A TO3P

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
2SJ162

2SJ162-E Hakkında

2SJ162-E, Renesas Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 160V drain-source voltaj ve 7A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devrelerinde ve motor kontrol sistemlerinde kullanılır. 10V gate drive voltajında maksimum RDS(on) değeri ile verimli işletme sağlar. Junction sıcaklığı 150°C'ye kadar çalışabilir ve 100W güç dağıtımı kapasitesine sahiptir. ±15V maksimum gate-source voltajı ile geniş çalışma aralığı sunmaktadır. Через-delik montaj yöntemi kullanılan bu transistör, lineer güç kaynakları, anahtarlamalı güç kaynakları ve DC-DC konvertörlerde yaygın olarak uygulanır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 160 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 900 pF @ 10 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 100W (Tc)
Supplier Device Package TO-3P
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±15V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok