Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
2SJ058200L
MOSFET P-CH 200V 2A U-G2
- Üretici
- Panasonic
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- 2SJ058200L
2SJ058200L Hakkında
2SJ058200L, Panasonic tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilimi ve 2A sürekli dren akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. TO-252-3 (DPak) SMD paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate-source geriliminde 2Ω maksimum Rds(on) değerine sahiptir. ±20V gate-source gerilim aralığında çalışabilen transistör, güç yönetimi, anahtarlama devreleri, invertör uygulamaları ve kuvvetli elektromanyetik alanları kontrol eden sistemlerde yaygın olarak kullanılmaktadır. Maksimum 150°C çalışma sıcaklığında 10W güç saçabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 400 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Ta), 10W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2Ohm @ 1A, 10V |
| Supplier Device Package | U-G2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok