Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
2N7639-GA
TRANS SJT 650V 15A TO257
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-257-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- 2N7639
2N7639-GA Hakkında
2N7639-GA, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) tabanlı bir Junction Transistördür. TO-257-3 paketinde sunulan bu komponent, 650V drain-source gerilim ve 15A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. Maksimum 172W güç tüketimine ve 105mOhm (15A, Vgs) on-state direncine sahiptir. -55°C ile +225°C arasında çalışabilen bu transistör, yüksek gerilim uygulamalarında ve güç dönüştürme devrelerinde tercih edilir. Input kapasitansi 1534pF @ 35V olup, hızlı anahtarlama özelliği sağlar. Through-hole montajı destekler. Not: Bu ürün üretimi durdurulmuş (Obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15A (Tc) (155°C) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1534 pF @ 35 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 225°C (TJ) |
| Package / Case | TO-257-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 172W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 105mOhm @ 15A |
| Supplier Device Package | TO-257 |
| Technology | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok