Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
2N7636-GA
TRANS SJT 650V 4A TO276
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-276AA
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- 2N7636
2N7636-GA Hakkında
2N7636-GA, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) junction transistördür. 650V drain-source gerilim ve 4A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. TO-276AA paketinde sunulan bu bileşen, yüksek sıcaklık ortamlarında (-55°C ile 225°C arasında) çalışabilir. 415mOhm RDS(on) değeri ve 324pF giriş kapasitansi ile güç elektronikleri uygulamalarında, inverterler, DC-DC dönüştürücüler ve motor kontrol devrelerinde kullanılır. Surface mount montaj tipi ile modern PCB tasarımlarına uygun hale getirilmiştir. Maksimum 125W güç dağıtım kapasitesi bulunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Tc) (165°C) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 324 pF @ 35 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 225°C (TJ) |
| Package / Case | TO-276AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 415mOhm @ 4A |
| Supplier Device Package | TO-276 |
| Technology | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok