Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
2N7635-GA
TRANS SJT 650V 4A TO257
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-257-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- 2N7635
2N7635-GA Hakkında
2N7635-GA, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) junction transistördür. 650V drain-source gerilimi ve 4A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-257-3 paket tipi ile through-hole montajına uygun tasarlanmıştır. 415mΩ maksimum RDS(on) değeri ile iletim kayıplarını sınırlandırır. -55°C ile +225°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahip olması, endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında tercih edilmesini sağlar. Güç dönüştürme devreleri, anahtarlama uygulamaları ve yüksek sıcaklık ortamlarında kullanım için uygundur. Ürün şu anda üretimi durdurulmuş (obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Tc) (165°C) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 324 pF @ 35 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 225°C (TJ) |
| Package / Case | TO-257-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 47W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 415mOhm @ 4A |
| Supplier Device Package | TO-257 |
| Technology | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok