Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

2N7002P,215

MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB

Üretici
Nexperia
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
2N7002P

2N7002P,215 Hakkında

2N7002P,215, Nexperia tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 360mA sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. TO-236-3 (SOT-23) yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, düşük açık-durumda direnç (1.6Ω @ 10V, 500mA) ile karakterize edilir. 10V gate sürüş geriliminde çalışır ve maksimum ±20V gate gerilimini tolere eder. Gate eşik gerilimi 2.4V @ 250µA'dır. 350mW maksimum güç tüketimi ile çalışan cihaz, -55°C ile +150°C arasında güvenilir operasyon sunar. Genel amaçlı anahtarlama, logik seviyesi kontrol uygulamaları ve sinyal geçişi işlevlerinde kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 360mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 50 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 350mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Supplier Device Package TO-236AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok